%0 Journal Article
%T 纳米金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热电子发射和弹道输运模型
%A 郭靖
%A 蒋建飞
%A 蔡琪玉
%A 上海交通大学微电子研究所
%A 上海
%J 电子学报
%P 52-54
%D 2000
%X 本文首先给出了SOI上纳米金属-氧化物-半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的结构,它是一种非传统MOSFET.NANO-MOSFET源漏区采用金属,沟道采用本征硅,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应.利用一组基本器件方程式,我们模拟并分析了NANO-MOSFET的基本特性.计算表明,NANO-MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控,适用于各种数字电路,包括存储单元.另外,选取合适的直流偏置点,NANO-MOSFET可用作模拟小信号放大器.
%K 纳米器件
%K 半导体场效应晶体管
%K 肖特基势垒
%K 热电子发射
%K 弹道输运
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract2485.shtml