空穴注入控制型LIGBT的研究

本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管(CI-LIGBT),可有效控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的抗闩锁性能.数值模拟与实验表明,通过对阳极区结深、反偏p+n+结击穿电压和取样电阻的优化,可实现其导通压降与抗闩锁性能的折衷.