%0 Journal Article
%T 空穴注入控制型LIGBT的研究
%A 杨健
%A 朱小安
%A 方健
%A 李肇基
%J 电子学报
%P 119-121
%D 2000
%X 本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管(CI-LIGBT),可有效控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的抗闩锁性能.数值模拟与实验表明,通过对阳极区结深、反偏p+n+结击穿电压和取样电阻的优化,可实现其导通压降与抗闩锁性能的折衷.
%K 智能功率集成电路
%K 横向绝缘栅双极晶体管
%K 闩锁
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract5067.shtml