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电子学报 2000
FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究, PP. 68-70 Keywords: EEPROM,隧道氧化层,陷阱俘获电荷,耐久性,擦写,阈值电压,电场 Abstract: 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象.对于低的擦写电压,擦除阈值减少,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷;对于高的擦写电压,擦除阈值增加,产生了正陷阱俘获电荷.这一结果与SiO2中电荷的俘获——解俘获动态模型相吻合.
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