%0 Journal Article
%T FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
%A 于宗光
%A 徐征
%A 叶守银
%A 张国华
%A 黄卫
%A 王万业
%A 许居衍
%J 电子学报
%P 68-70
%D 2000
%X 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象.对于低的擦写电压,擦除阈值减少,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷;对于高的擦写电压,擦除阈值增加,产生了正陷阱俘获电荷.这一结果与SiO2中电荷的俘获——解俘获动态模型相吻合.
%K EEPROM
%K 隧道氧化层
%K 陷阱俘获电荷
%K 耐久性
%K 擦写
%K 阈值电压
%K 电场
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract4383.shtml