氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO2界面应力的研究
, PP. 49-51
Keywords: n-MOSFETs,栅氧化物,氮化,Si/SiO2界面,氩离子轰击,应力
Abstract:
本文借助氩离子(Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n-MOSFETsSi/SiO2界面附近剩余机械应力.结果表明:NH3氮化及N2O生长的氧化物-硅界面附近均存在较大的剩余应力,前者来自过多的界面氮结合,后者来自因为初始加速生长阶段.N2O氮化的氧化物表现出小得多的剩余应力,从而有优良的界面和体特性.
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