%0 Journal Article
%T 氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO2界面应力的研究
%A 徐静平
%A 黎沛涛
%A 李斌
%J 电子学报
%P 49-51
%D 2000
%X 本文借助氩离子(Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n-MOSFETsSi/SiO2界面附近剩余机械应力.结果表明:NH3氮化及N2O生长的氧化物-硅界面附近均存在较大的剩余应力,前者来自过多的界面氮结合,后者来自因为初始加速生长阶段.N2O氮化的氧化物表现出小得多的剩余应力,从而有优良的界面和体特性.
%K n-MOSFETs
%K 栅氧化物
%K 氮化
%K Si/SiO2界面
%K 氩离子轰击
%K 应力
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract1434.shtml