衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究

本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术,对SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Timedependentdielectricbreakdown)模型.