%0 Journal Article
%T 衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究
%A 刘红侠
%A 郝跃
%A 黄涛
%A 方建平
%J 电子学报
%P 1468-1470
%D 2001
%X 本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术,对SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Timedependentdielectricbreakdown)模型.
%K 薄栅氧化层
%K 经时击穿
%K 衬底热电子
%K 击穿电荷
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract2937.shtml