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电子学报 2001
6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟, PP. 157-159 Keywords: 6H-SiC,MonteCarlo模拟,散射,库仑电荷 Abstract: 用单电子MonteCarlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性.MonteCarlo模拟的结果表明,当表面有效横向电场高于1.5×105V/cm时,表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用,而当有效横向电场小于该值时,沟道散射以库仑散射为主.
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