%0 Journal Article
%T 6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟
%A 尚也淳
%A 张义门
%A 张玉明
%J 电子学报
%P 157-159
%D 2001
%X 用单电子MonteCarlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性.MonteCarlo模拟的结果表明,当表面有效横向电场高于1.5×105V/cm时,表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用,而当有效横向电场小于该值时,沟道散射以库仑散射为主.
%K 6H-SiC
%K MonteCarlo模拟
%K 散射
%K 库仑电荷
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract702.shtml