小面积低功耗掩膜ROMASIC设计
, PP. 934-936
Keywords: CMOS工艺,只读存贮器(ROM),低功耗,译码器,灵敏放大器
Abstract:
本文介绍了一种利用0.6μm单硅双铝双阱CMOS工艺实现的4Kbit掩膜ROM专用集成电路设计(ASIC).ROM单元应用串行结构,整个芯片的面积为0.082mm2.在5伏电源下,功率延迟积为0.036PJ/bit,最大工作电流为1.2mA,最大静态漏电流为0.1μA.采用一种新颖的灵敏放大器有效地提高了ROM的访问速度,ROM的访问时间为36ns.
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