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ISSN: 2333-9721
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电子学报  2003 

MOVPE生产用高纯水中硅的去除

, PP. 721-723

Keywords: 有机金属气相淀积,,连续电脱盐,超大规模集成电路

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Abstract:

本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积(MOVPE)工艺中的影响和电脱盐(EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果,得出用EDI技术严格控制pH(8~11)时脱硅效果最好,能使高纯水中Si的浓度<0.5μg/L,满足了MO源生产及MOVPE工艺用水中Si浓度<3μg/L的需要.

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