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电子学报 2004
ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性, PP. 1302-1304 Keywords: Cu互连线,晶体学取向,晶粒尺寸,电徙动 Abstract: 观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向.分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响.Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小.与平坦Cu膜相比,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的(111)织构.300℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111)织构发展,从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力.结果表明,Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散,而对于较窄线宽的Cu互连线,界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径.
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