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电子学报 2008
带有小型化Balun的C波段单片GaAspHEMT单平衡电阻性混频器, PP. 2454-2457 Keywords: 砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管,电阻性混频器,小型化Balun,集总-分布式 Abstract: 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAspHEMT单平衡电阻性混频器.Balun采用集总—分布式结构,使其长度与常用λ/4耦合线Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸.混频器采用单平衡电阻性结构,在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能.测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5~5GHzRF频带内,最小变频损耗为8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至IF之间的隔离度为38dB.
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