%0 Journal Article
%T 带有小型化Balun的C波段单片GaAspHEMT单平衡电阻性混频器
%A 李志强
%A 张健
%A 张海英
%J 电子学报
%P 2454-2457
%D 2008
%X 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAspHEMT单平衡电阻性混频器.Balun采用集总—分布式结构,使其长度与常用λ/4耦合线Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸.混频器采用单平衡电阻性结构,在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能.测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5~5GHzRF频带内,最小变频损耗为8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至IF之间的隔离度为38dB.
%K 砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
%K 电阻性混频器
%K 小型化Balun
%K 集总-分布式
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract4459.shtml