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ISSN: 2333-9721
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电子学报  2000 

自保护MOS栅晶闸管

, PP. 22-24

Keywords: MOS栅晶闸管,自保护,正偏安全工作区,SOI,沟槽隔离

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Abstract:

本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件.这种器件无寄生闩锁效应,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性.因此,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区.器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节,极大增加了使用的灵活性.此外,器件保护点电流和电压的温度系数均为负,这种特性使器件在高温工作时可更好地起自保护作用.

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