%0 Journal Article
%T 自保护MOS栅晶闸管
%A 高玉民
%A 单建安
%A 许曙明
%J 电子学报
%P 22-24
%D 2000
%X 本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件.这种器件无寄生闩锁效应,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性.因此,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区.器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节,极大增加了使用的灵活性.此外,器件保护点电流和电压的温度系数均为负,这种特性使器件在高温工作时可更好地起自保护作用.
%K MOS栅晶闸管
%K 自保护
%K 正偏安全工作区
%K SOI
%K 沟槽隔离
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract1423.shtml