反应离子刻蚀工艺中的充电效应

本文阐述了反应离子刻蚀(RIE)工艺过程中充电效应产生的机理,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的,推导了等离子体充电电流的表达式.并根据等离子体充电前后Qbd值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度.