%0 Journal Article
%T 反应离子刻蚀工艺中的充电效应
%A 胡恒升
%A 张敏
%J 电子学报
%P 81-83
%D 2000
%X 本文阐述了反应离子刻蚀(RIE)工艺过程中充电效应产生的机理,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的,推导了等离子体充电电流的表达式.并根据等离子体充电前后Qbd值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度.
%K 反应离子刻蚀
%K 等离子体不均匀
%K 充电效应
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3327.shtml