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电子学报 2007
窄禁带半导体n-InAsTHz辐射机理的MonteCarlo研究, PP. 1458-1461 Keywords: n-InAs,n-GaAs,THz辐射,MonteCarlo模拟 Abstract: 本文采用系综MonteCarlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作用.通过定量给出表面电场和光丹培场在半导体中的空间分布,我们发现导致n-InAs的THz辐射效率比n-GaAs高的一个重要原因是:在被大多数光生载流子占居的非耗尽层区域,n-InAs的电场比n-GaAs的大得多.而以前的研究工作都没有认识到这一点.
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