%0 Journal Article
%T 窄禁带半导体n-InAsTHz辐射机理的MonteCarlo研究
%A 刘东峰
%J 电子学报
%P 1458-1461
%D 2007
%X 本文采用系综MonteCarlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作用.通过定量给出表面电场和光丹培场在半导体中的空间分布,我们发现导致n-InAs的THz辐射效率比n-GaAs高的一个重要原因是:在被大多数光生载流子占居的非耗尽层区域,n-InAs的电场比n-GaAs的大得多.而以前的研究工作都没有认识到这一点.
%K n-InAs
%K n-GaAs
%K THz辐射
%K MonteCarlo模拟
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract379.shtml