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ISSN: 2333-9721
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电子学报  2007 

基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型

, PP. 844-848

Keywords: 复合多晶硅栅,LDMOS,阈值电压

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本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(shortchanneleffects)和DIBL(drain-inducedbarrierlowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.

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