%0 Journal Article
%T 基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型
%A 代月花
%A 高珊
%A 柯导明
%A 陈军宁
%J 电子学报
%P 844-848
%D 2007
%X 本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(shortchanneleffects)和DIBL(drain-inducedbarrierlowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.
%K 复合多晶硅栅
%K LDMOS
%K 阈值电压
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract4909.shtml