反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法

提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法，尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属，以加强刻蚀过程中产生的热量的消散，降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时，金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累，防止了自建电场的产生，抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器，检验了本方法的有效性和适应性.