%0 Journal Article
%T 反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法
%A 丁海涛
%A 杨振川
%A 闫桂珍
%J 电子学报
%P 1201-1204
%D 2010
%X 提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法，尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属，以加强刻蚀过程中产生的热量的消散，降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时，金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累，防止了自建电场的产生，抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器，检验了本方法的有效性和适应性.
%K 反应离子深刻蚀
%K 热传递
%K notching效应
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3555.shtml