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ISSN: 2333-9721
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含能材料  2008 

半导体桥电爆过程的能量转换测量与计算

Keywords: 应用化学,火工品,半导体桥,等离子体,电爆换能

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Abstract:

对电容激励模式下半导体桥(SCB)的电流、电压以及光的变化进行了测试，从能量的角度对半导体桥电爆换能过程进行了分析，并对电爆换能过程中硅桥物质形态的变化进行了量化分析，在电容为22μF、充电电压为45V的情况下,SCB上电压为最低时（2.18μs，10V）有61.1％的桥区熔化，SCB上电压为最高时（3.48μs，43V）桥区有14.5％气化，在SCB发火光强最亮时（17.60μs）有70.3％的半导体硅桥电离。

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