%0 Journal Article
%T 半导体桥电爆过程的能量转换测量与计算
%A 张文超
%A 叶家海
%A 秦志春
%A 周彬
%A 田桂蓉
%A 徐振相
%J 含能材料
%D 2008
%X 对电容激励模式下半导体桥(SCB)的电流、电压以及光的变化进行了测试，从能量的角度对半导体桥电爆换能过程进行了分析，并对电爆换能过程中硅桥物质形态的变化进行了量化分析，在电容为22μF、充电电压为45V的情况下,SCB上电压为最低时（2.18μs，10V）有61.1％的桥区熔化，SCB上电压为最高时（3.48μs，43V）桥区有14.5％气化，在SCB发火光强最亮时（17.60μs）有70.3％的半导体硅桥电离。
%K 应用化学
%K 火工品
%K 半导体桥
%K 等离子体
%K 电爆换能
%U http://www.energetic-materials.org.cn/hncl/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20080523&flag=1