碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析

针对n-on-p型长波Hg1－xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark＝9×10－10A，工作电阻Rr＝109？，品质因子R0A＝20？cm2。从仿真分析结果得出，在现有工艺下，Shockley-Read-Hall（SRH）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中SRH复合速率为2×1016/s？cm3，当表面态到达1×1012cm－2，器件会出现严重的表面沟道。