%0 Journal Article
%T 碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析
%A 李龙
%A 孙浩
%A 朱西安
%J 红外技术
%P 73-78
%D 2014
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201401013
%X 针对n-on-p型长波Hg1－xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark＝9×10－10A，工作电阻Rr＝109？，品质因子R0A＝20？cm2。从仿真分析结果得出，在现有工艺下，Shockley-Read-Hall（SRH）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中SRH复合速率为2×1016/s？cm3，当表面态到达1×1012cm－2，器件会出现严重的表面沟道。
%K 长波探测器
%K 碲镉汞
%K Silvaco
%K 仿真模拟
%K 暗电流
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201308025