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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响
DOI: 10.11846/j.issn.1001_8891.201405015, PP. 415-418
Keywords: InP,变掺杂,MOCVD,InGaAs
Abstract:
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料，通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究，发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理，实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。
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