%0 Journal Article
%T InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响
%A 吴波
%A 邓军
%A 杨利鹏
%A 田迎
%A 韩军
%A 李建军
%A 史衍丽
%J 红外技术
%P 415-418
%D 2014
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201405015
%X 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料，通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究，发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理，实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。
%K InP
%K 变掺杂
%K MOCVD
%K InGaAs
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201309020