GaAlAs薄层组份及其纵向分布的电调制光谱测量

本文报道了用电调制反射光谱法测量GaA1As的能隙与组份的依赖关系,以及外延薄层和异质结界面处组份的纵向分布。利用样品在紫外区的吸收很大、透入深度较小的特点,结合阳极氧化和化学腐蚀剥层技术,测量了薄层和异质结固溶体样品组份的纵向分布。