硅晶片应力的红外光弹测量

本文介绍测量硅晶片应力的红外光弹系统及方法。对硅晶片进行了四点简支梁模型的加压实验,其应力测量的结果与理论计算的结果基本符合;并测量了某些半导体器件模拟工艺在硅片内引入的应力。