光生电子碰撞离化对InSb离子注入探测器光谱响应的影响
Keywords: InSb,离子注入,PN结,碰撞离化,光谱响应
Abstract:
测量了~(24)Mg~+离子注入型InSbPV探测器的光谱响应,发现经高剂量(Q≥1×10~(13)cm~(-2))注入的探测器的光谱响应曲线中短波区响应率明显提高,2μm处的相对响应率达到75%.为此,分析了这种探测器的内建电场分布,建立了光生电子在内建电场作用下的碰撞离化模型,计算了不同波长光子所产生的电子的碰撞离化率α_n与电场强度的关系.
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