%0 Journal Article
%T 光生电子碰撞离化对InSb离子注入探测器光谱响应的影响
%J 红外与毫米波学报
%D 1989
%X 测量了~(24)Mg~+离子注入型InSbPV探测器的光谱响应,发现经高剂量(Q≥1×10~(13)cm~(-2))注入的探测器的光谱响应曲线中短波区响应率明显提高,2μm处的相对响应率达到75%.为此,分析了这种探测器的内建电场分布,建立了光生电子在内建电场作用下的碰撞离化模型,计算了不同波长光子所产生的电子的碰撞离化率α_n与电场强度的关系.
%K InSb
%K 离子注入
%K PN结
%K 碰撞离化
%K 光谱响应
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19890439&flag=1