外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAsDHLED

描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.