%0 Journal Article
%T 外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAsDHLED
%J 红外与毫米波学报
%D 1992
%X 描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.
%K 外延迁移
%K 发光二极管
%K 光电子集成
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19920567&flag=1