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ISSN: 2333-9721
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GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究

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Abstract:

采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.

References

[1]	刘士毅，厦门大学学报，1965年，12卷，51页
[2]	朱文章，半导体学报

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