%0 Journal Article
%T GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1992
%X 采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.
%K 光伏效应半导体应变层超晶格
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19920226&flag=1