磁场下硅中硼受主的光热电离光谱

用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在０－１１Ｔ磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明：由于价带的复杂性、浅受主的基态和激发态在磁场下筒并的解除以及大的空穴有效质量，硅中浅受主的塞曼效应较浅施主更为复杂。