%0 Journal Article
%T 磁场下硅中硼受主的光热电离光谱
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在０－１１Ｔ磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明：由于价带的复杂性、浅受主的基态和激发态在磁场下筒并的解除以及大的空穴有效质量，硅中浅受主的塞曼效应较浅施主更为复杂。
%K 光热电离光谱浅受主硅半导体
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960226&flag=1