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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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非量子限条件下P型InSbMOS结构反型层中子能带实验研究
Keywords: 电容谱共振缺陷态子能带锑化铟
Abstract:
在100K条件下测量了p型InSbMOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.
| [1] | 刘坤，红外与毫米波学报，1994年，13卷，3期
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| [2] | 刘坤 褚君浩.p—HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量[J].物理学报,1994,43(2):267-273,.
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| [3] | 褚君浩，Phys Rev，1991年，44卷，4期，1717页
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| [4] | 褚君浩，中国科学.A，1990年，5期，515页
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| [5] | 褚君浩，红外与毫米波学报，1985年，4卷，6期，439页
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| [6] | 刘坤，J A P
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| [7] | 刘坤，JAP
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| [8] | 刘坤，半导体学报
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