%0 Journal Article
%T 非量子限条件下P型InSbMOS结构反型层中子能带实验研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%X 在100K条件下测量了p型InSbMOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.
%K 电容谱共振缺陷态子能带锑化铟
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19940584&flag=1