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ISSN: 2333-9721
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P型Hg0.76Cd0.24Te的子能带结构

Keywords: 电容谱能带结构碲镉汞子能带

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Abstract:

制备了Hg1-xCdxTe(x=0.24)MIS器件,用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的C-V谱。根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱,获得了反型层电子子能带结构、,与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。并获得了有关界面态与绝缘层固定电荷的结果。

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