%0 Journal Article
%T P型Hg0.76Cd0.24Te的子能带结构
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%X 制备了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ－Ｖ谱。根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构、，与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。并获得了有关界面态与绝缘层固定电荷的结果。
%K 电容谱能带结构碲镉汞子能带
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19940347&flag=1