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ISSN: 2333-9721
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9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器

Keywords: 异质结,锗硅合金,红外探测器

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Abstract:

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．

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