%0 Journal Article
%T 9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%X 用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
%K 异质结
%K 锗硅合金
%K 红外探测器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19940222&flag=1