用光电导研究不同厚度未掺杂MOCVDGaAs外延层自由激子

用光电导测定厚度为４￣３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓＭＣＶＤ外延层中自由激子跃迁特性，发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的高激子态强度的寿命τ都减小，这些效应主要归因子外延层表面的缺陷和电场的作用，最后，讨论了光致发光和测量温度对它的影响。