%0 Journal Article
%T 用光电导研究不同厚度未掺杂MOCVDGaAs外延层自由激子
%J 红外与毫米波学报
%D 1995
%X 用光电导测定厚度为４￣３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓＭＣＶＤ外延层中自由激子跃迁特性，发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的高激子态强度的寿命τ都减小，这些效应主要归因子外延层表面的缺陷和电场的作用，最后，讨论了光致发光和测量温度对它的影响。
%K 外延层
%K 自由激子
%K 光电导
%K 光致发光
%K 砷化镓
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19950453&flag=1